Infineon IGBT, 1.2 kV 20 mW
- RS Best.-Nr.:
- 253-9839P
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N3T7B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- FP75R12N3T7B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 62.5mm | |
| Serie | FP75R12N3T7B11B | |
| Länge | 122mm | |
| Höhe | 17mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 62.5mm | ||
Serie FP75R12N3T7B11B | ||
Länge 122mm | ||
Höhe 17mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie FP75 von Infineon ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT oder NTC.
Überlastbetrieb bis zu 175 °C Niedriger VCEsat Hohe Leistungs- und Wärmezyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte PressFIT-Kontakttechnologie Standardgehäuse