Infineon IGBT / 105 A Vollbrücke, 1.2 kV 350 W AG-ECONO2B-311 Chassis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0899P
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R12KE3BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R12KE3BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 105A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350W | |
| Konfiguration | Vollbrücke | |
| Gehäusegröße | AG-ECONO2B-311 | |
| Montageart | Chassis | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 105A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350W | ||
Konfiguration Vollbrücke | ||
Gehäusegröße AG-ECONO2B-311 | ||
Montageart Chassis | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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