Infineon IGBT-Transistormodul / 90 A ±20V max. Triple, 600 V 333 W PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
259-1525
Herst. Teile-Nr.:
IGP50N60TXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

90 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

333 W

Anzahl an Transistoren

3

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Der IGBT mit geringem Verlust von Infineon verfügt über eine einfache parallele Schaltfunktion aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vcesat. Es verfügt über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten. Es handelt sich um eine sehr weiche, schnell erholbare, antiparallel-emittergesteuerte Diode.

Maximale Anschlusstemperatur: 175 °C
Kurzschlussbeständigkeit 5 Mikrosekunden
Niedrige elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung

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