Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:
259-1526
Herst. Teile-Nr.:
IGW50N65F5FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

305 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Die neue TRENCHSTOPIGBT-Technologie von Infineon definiert "best-in-class" IGBT neu, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Die neue Produktfamilie ist ein großer Durchbruch in der IGBT-Innovation, um den hohen Effizienzanforderungen des Marktes von morgen gerecht zu werden. Er hat den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50 V Anstieg der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.

Durchgangsspannung: 650 V
Im Vergleich zur erstklassigen HighSpeed 3-Familie von Infineon
Faktor 2,5 niedriger Q g
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung in V CE(sat)
Niedriger C OES/E OSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient V CE(sat)
Temperaturstabilität

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