Infineon IGBT-Modul / 50 A, 650 V 305 W, 3-Pin PG-TO-247

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RS Best.-Nr.:
259-1526
Herst. Teile-Nr.:
IGW50N65F5FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

305W

Gehäusegröße

PG-TO-247

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 ±30 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Die neue TRENCHSTOPIGBT-Technologie von Infineon definiert "best-in-class" IGBT neu, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Die neue Produktfamilie ist ein großer Durchbruch in der IGBT-Innovation, um den hohen Effizienzanforderungen des Marktes von morgen gerecht zu werden. Er hat den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50 V Anstieg der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.

Durchgangsspannung: 650 V

Im Vergleich zur erstklassigen HighSpeed 3-Familie von Infineon

Faktor 2,5 niedriger Q g

Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2

200 mV Reduzierung in V CE(sat)

Niedriger C OES/E OSS

Leichter positiver Temperaturkoeffizient V CE(sat)

Temperaturstabilität

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