Infineon IGBT / 40 A, 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-5104
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 260-5104
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JESD-022, RoHS | |
| Serie | IKW40N65WR5 | |
| Länge | 41.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen JESD-022, RoHS | ||
Serie IKW40N65WR5 | ||
Länge 41.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die umgekehrt leitenden IGBTs von Infineon sind eine spezielle umgekehrt leitende IGBT-Familie, die für die vollständige harte Abschaltung optimiert ist, die typischerweise in Schweiß-Wechselrichteranwendungen vorkommt.
Monolithische Diode, optimiert für PFC- und Schweißanwendungen
Stabiles Temperaturverhalten
Sehr niedriger VCEsat und niedriger Eoff
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