Teile-Nr.

Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 273-2927
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12N2T7BPSA2
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 273-2927
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12N2T7BPSA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	75 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Anzahl an Transistoren	7
	Verlustleistung max.	20 mW
	Konfiguration	Common Emitter
	Montage-Typ	Tafelmontage
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	31

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 75 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Anzahl an Transistoren 7
	Verlustleistung max. 20 mW
	Konfiguration Common Emitter
	Montage-Typ Tafelmontage
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 31

Datasheet - FP75R12N2T7BPSA2

Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul von Infineon mit IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC. Die PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Bremschraubendreher ermöglicht Einsparungen bei den Systemkosten.

Hohe Zuverlässigkeit und Leistungsdichte
Kupfer-Sockelplatte für optimierte Wärmeverteilung
Hohe Leistungsdichte
Lötkontakttechnologie

Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin N-Kanal

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