Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 273-2927
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2927
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Konfiguration | Common Emitter | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 31 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 75 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Konfiguration Common Emitter | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 31 | ||
Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul von Infineon mit IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC. Die PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Bremschraubendreher ermöglicht Einsparungen bei den Systemkosten.
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