Infineon IGBT / 140 A ±20V max. , 1200 V 962 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 273-2975
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ140N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
309,12 €
(ohne MwSt.)
367,86 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 210 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 10,304 € | 309,12 € |
| 60 + | 9,51 € | 285,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2975
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ140N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 140 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 962 W | |
| Konfiguration | Common Emitter | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 140 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 962 W | ||
Konfiguration Common Emitter | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der diskrete Infineon IGBT7 H7 im TO-247PLUS-3-poligen Gehäuse wurde entwickelt, um die Nachfrage in Anwendungen zu erfüllen, die sich auf die Dekarbonisierung konzentrieren, wie z. B. Solar-Photovoltaik, Unterbrechungsnetzteile und Akkuladegeräte.
Optimierte Leistung unter Anwendungsbedingungen
Niedrigste Leitungsverluste
Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungen
Verbesserte EMI-Leistung
Niedrigste Leitungsverluste
Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungen
Verbesserte EMI-Leistung
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- onsemi IGBT / 140 A ±20V max. 25 kW, 4-Pin TO-247-4L N-Kanal
- Infineon IGBT / 150 A ±20V max. 3-Pin TO-247 P-Kanal
- Infineon IGBT / 40 A 20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 50 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal