Infineon IGBT / 75 A, 650 V 395 W, 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2988
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZ75N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IKZ75N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon IGBT bietet die Technologie in einem Hochleistungsgehäuse mit einem zusätzlichen Kelvin-Emitter-Stift. Der 4-polige TO-247 bietet eine extrem niedrige Induktivität an der Gate-Emitter-Steuerschleife und bringt TRENCHSTOP 5 IGBT auf die nächste Stufe der besten Schaltperfektion in seiner Klasse
Steigerung des Nutzens bei hohen Stromverhältnissen
IGBTs arbeiten bei niedrigerer Anschlusstemperatur
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