STMicroelectronics IGBT / 216 A Einfach, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 273-5094P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSB200M65DF2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 216A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 714W | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Gehäusegröße | ECOPACK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | NPN | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.5mm | |
| Normen/Zulassungen | UL1557 | |
| Länge | 4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 216A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 714W | ||
Konfiguration Einfach | ||
Gehäusegröße ECOPACK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp NPN | ||
Pinanzahl 9 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.5mm | ||
Normen/Zulassungen UL1557 | ||
Länge 4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das STMicroelectronics Automotive-Grade Grabengate Field-Stop Low-Loss M-Serie IGBT in einem ACEPACK SMIT-Paket. Dieses Gerät ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind.
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Würfel auf Substrat aus direkt gebundenem Kupfer (DBC)