STMicroelectronics IGBT / 216 A Einfach, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal Oberfläche

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Herst. Teile-Nr.:
STGSB200M65DF2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

216A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Anzahl an Transistoren

2

Maximale Verlustleistung Pd

714W

Konfiguration

Einfach

Gehäusegröße

ECOPACK

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

NPN

Pinanzahl

9

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.05V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.5mm

Länge

4mm

Normen/Zulassungen

UL1557

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das STMicroelectronics Automotive-Grade Grabengate Field-Stop Low-Loss M-Serie IGBT in einem ACEPACK SMIT-Paket. Dieses Gerät ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind.

Enge Parameterverteilung

Geringer Wärmewiderstand

Würfel auf Substrat aus direkt gebundenem Kupfer (DBC)

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