Infineon IGBT / 40 A +/-20V max. , 650 V 150 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-7440
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7440
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der IGBT von Infineon ist ein rückwärts leitender IGBT mit monolithischer Body-Diode. Dieser IGBT verfügt über eine leistungsstarke monolithische Sperrschichtdiode mit niedriger Durchlassspannung und ist gemäß JESD022 für Zielanwendungen qualifiziert. Aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten von VCEsat ist er leicht parallel schaltbar. Dieser IGBT wird für Induktionskochherde, Mikrowellenherde mit Inverterzündung und Resonanzwandler empfohlen.
Geringe EMI
Halogenfrei
RoHS-konform
Hohe Robustheit
Pb-freie Bleibeschichtung
Stabiles Temperaturverhalten
Sehr niedrige VCEsat und niedriger Eoff
Sehr enge Parameterverteilung
Halogenfrei
RoHS-konform
Hohe Robustheit
Pb-freie Bleibeschichtung
Stabiles Temperaturverhalten
Sehr niedrige VCEsat und niedriger Eoff
Sehr enge Parameterverteilung
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