Vishay IGBT / 193 A Halbbrücke, 650 V 517 W, 7-Pin INT-A-pak Typ N-Kanal Panel

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RS Best.-Nr.:
276-6406
Herst. Teile-Nr.:
VS-GT200TS065N
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

193A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Halbbrücke

Gehäusegröße

INT-A-pak

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

30mm

Breite

35.4 mm

Länge

94.4mm

Normen/Zulassungen

UL E78996

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IT
Der IGBT von Vishay verfügt über Antiparallel-Dioden der FRED-Pt-Technologie der Generation 4 mit besonders sanften Rückstromeigenschaften. Sie ist für Hochstrom-Inverterstufen (AC-WIG-Schweißmaschinen) optimiert.

UL-Zulassung

Sehr geringe Leitungsverluste

Geringe EMI

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