STMicroelectronics IGBT / 4 A ±20V max. , 600 V 75 W, 3-Pin DPAK

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RS Best.-Nr.:
287-7045P
Herst. Teile-Nr.:
STGD4H60DF
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

4 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

75 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

DPAK

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Ursprungsland:
CN
Der Trench-Gate-Feldstop von STMicroelectronics ist ein IGBT, der mit einer fortschrittlichen, proprietären Trench-Gate-Feldstop-Struktur entwickelt wurde. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Geringer Wärmewiderstand
Kurzschlussfestigkeit
Weiche und schnell erholsame antiparallele Diode

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