SKM300GB126D N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 310 A, SEMITRANS3 7-Pin

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RS Best.-Nr.:
468-2505
Herst. Teile-Nr.:
SKM300GB126D
Marke:
Semikron
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Marke

Semikron

Dauer-Kollektorstrom max.

310 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

SEMITRANS3

Konfiguration

Zweifach-Halbbrücke

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

7

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

106.4 x 61.4 x 30mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Ursprungsland:
DE

Duale IGBT-Module


Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.

Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung


IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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