Infineon IGBT / 11,5 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
543-0197
Herst. Teile-Nr.:
IRG4IBC20KDPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

11,5 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.67 x 4.83 x 9.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Co-Pack-IGBT bis 20 A, Infineon


Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT) von Infineon bieten dem Benutzer eine umfassende Auswahl von Optionen, um sicherzustellen, dass Ihre Anwendung durchgeführt werden kann. Durch ihren hohen Wirkungsgrad können diese IGBT in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden und können dank niedriger Schaltverluste verschiedene Schaltfrequenzen unterstützen

IGBT verbaut mit antiparallel geschalteter Diode mit ultraschneller Wiederherstellung für den Einsatz in Brückenkonfigurationen


IGBT-Transistoren, International Rectifier


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