Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-3PNIS N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 601-2807
- Herst. Teile-Nr.:
- GT30J322(Q)
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 601-2807
- Herst. Teile-Nr.:
- GT30J322(Q)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Gehäusegröße | TO-3PNIS | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 21mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Gehäusegröße TO-3PNIS | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.8 x 5 x 21mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP