Vishay IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V 480 W, 35-Pin ECONO2 N-Kanal

Wirksame IGBT-Module von Vishay bieten eine Auswahl von PT-, NPT- und Trench IGBT-Technologien. Die Serie umfasst Einfachschalter, Wechselrichter, Chopper, Halb-Brücken oder kundenspezifische Konfigurationen. Diese IGBT-Module sind für die Verwendung als Hauptschaltkomponente in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreie Stromversorgung, industrielle Schweiß-, Motorantriebs- und Leistungsfaktorkorrektursysteme ausgelegt.

Zu den typischen Anwendungen gehören Aufwärts- und Abwärtswandler, Vorwärts- und doppelte Konverter, Halb-Brücken, Voll-Brücken (H-Brücke) und dreiphasige Brücken.

Vielzahl an Industriestandard-Gehäuseversionen
Direktmontage auf Kühlkörper
Auswahl von PT-, NPT- und Trench IGBT-Technologien
Niedrig-VCE (ein) IGBT
Schaltfrequenz von 1 kHz bis 150 kHz
Robuste Einschwingleistung
Hohe Isolationsspannung bis zu 3500 V
100 % bleifrei (Pb) und RoHS-konform
Niedriger Wärmewiderstand
Großer Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis +175 °C)

IGBT-Module, Vishay

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.