Infineon IGBT / 40 A, 1200 V 483 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

6,30 €

(ohne MwSt.)

7,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Vorübergehend ausverkauft
  • 60 Einheit(en) mit Versand ab 05. März 2026
  • Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 23. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +6,30 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
752-8347
Herst. Teile-Nr.:
IKW40N120H3FKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

483W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.05V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, RoHS

Serie

TrenchStop

Automobilstandard

Nein

TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V


Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.

• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V

• Sehr geringer VCEsat

• Geringe Abschaltverluste

• Kurzer Endstrom

• Geringe elektromagnetische Störungen

• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links