onsemi IGBT / 50 A ±20V max., 1200 V 312 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 772-9222
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA25N120ANTDTU
- Marke:
- onsemi
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 772-9222
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA25N120ANTDTU
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 312 W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 18.9mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 312 W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.8 x 5 x 18.9mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||