- RS Best.-Nr.:
- 791-7630
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
5 - 20 | 2,506 € | 12,53 € |
25 - 45 | 2,38 € | 11,90 € |
50 - 120 | 2,166 € | 10,83 € |
125 - 245 | 2,112 € | 10,56 € |
250 + | 2,06 € | 10,30 € |
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- 791-7630
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30V60DF
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Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 258 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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