STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 375 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 791-7677
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT60V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 4,584 € | 22,92 € |
| 50 - 95 | 3,638 € | 18,19 € |
| 100 + | 3,158 € | 15,79 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 791-7677
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT60V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.7 x 5.7 x 26.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.7 x 5.7 x 26.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||