STMicroelectronics IGBT, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 791-9342
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF20V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 791-9342
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF20V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | 55 °C | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1 MHz | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. 55 °C | ||
Schaltgeschwindigkeit 1 MHz | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
