STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 795-9209
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW39NC60VD
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
8,47 €
(ohne MwSt.)
10,08 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 364 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | 4,235 € | 8,47 € |
| 4 + | 4,025 € | 8,05 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 795-9209
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW39NC60VD
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 80 A 20V max.65 V 535 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 2 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal