onsemi IGBT / 88 A (Impuls) ±20V max., 600 V 54 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 801-6801
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTG12N60TF1G
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 801-6801
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTG12N60TF1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 88 A (Impuls) | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 54 W | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.5 x 5.5 x 26.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 88 A (Impuls) | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 54 W | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.5 x 5.5 x 26.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||