IXYS IGBT / 40 A ±20V max., 1200 V 278 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

11,95 €

(ohne MwSt.)

14,22 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 44 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +5,975 €11,95 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
808-0243
Herst. Teile-Nr.:
IXYP20N120C3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

278 W

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

50kHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.66 x 4.82 x 16mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT


Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.

Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung
10 μs lange Kurzschlussauslösung
Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden
Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links