STMicroelectronics IGBT / 7,5 A ±20V max., 600 V 38 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 829-4379
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP3HF60HD
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,038 € | 5,19 € |
| 10 - 95 | 0,852 € | 4,26 € |
| 100 - 495 | 0,598 € | 2,99 € |
| 500 + | 0,518 € | 2,59 € |
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- 829-4379
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP3HF60HD
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Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 7,5 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 38 W |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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