F3L200R07PE4BOSA1 N-Kanal IGBT-Modul, 650 V / 200 A, ECONO4 20-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 838-6848
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L200R07PE4BOSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 838-6848
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L200R07PE4BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A | |
| Kollektor-Emitter- | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 680 W | |
| Konfiguration | Serie | |
| Gehäusegröße | ECONO4 | |
| Montage-Typ | Leiterplattenmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 20 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Abmessungen | 130 x 70.6 x 17mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 200 A | ||
Kollektor-Emitter- 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 680 W | ||
Konfiguration Serie | ||
Gehäusegröße ECONO4 | ||
Montage-Typ Leiterplattenmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 20 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Abmessungen 130 x 70.6 x 17mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||