Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V 500 W, 24-Pin ECONO2 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 838-6885
- Herst. Teile-Nr.:
- F475R12KS4B11BOSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 838-6885
- Herst. Teile-Nr.:
- F475R12KS4B11BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 500 W | |
| Gehäusegröße | ECONO2 | |
| Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke | |
| Montage-Typ | PCB-Montage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke | |
| Abmessungen | 107.5 x 45 x 17mm | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 500 W | ||
Gehäusegröße ECONO2 | ||
Konfiguration Zweifach-Halbbrücke | ||
Montage-Typ PCB-Montage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 24 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Zweifach-Halbbrücke | ||
Abmessungen 107.5 x 45 x 17mm | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||