Infineon IGBT / 10,8 A ±20V max., 650 V 31,2 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 857-8573
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA08N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 857-8573
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA08N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10,8 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 31,2 W | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.65 x 4.85 x 16.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10,8 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 31,2 W | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.65 x 4.85 x 16.15mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||