Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 862-9353P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040S3ST
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
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- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040S3ST
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Produktdetails
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 21 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 450 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±14V |
| Verlustleistung max. | 150 W |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C |