Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 862-9362P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V5036S3ST
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
Voraussichtlich ab 07.02.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
3,484 €
(ohne MwSt.)
4,146 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück |
| 10 - 95 | 3,484 € |
| 100 - 245 | 2,786 € |
| 250 - 495 | 2,628 € |
| 500 + | 2,482 € |
- RS Best.-Nr.:
- 862-9362P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V5036S3ST
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 46 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 420 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±14V |
| Verlustleistung max. | 250 W |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |