Infineon IGBT / 11 A ±20V max., 600 V 63 W, 3-Pin I2PAK/TO-262 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 864-0990
- Herst. Teile-Nr.:
- IRGSL4B60KD1PBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 864-0990
- Herst. Teile-Nr.:
- IRGSL4B60KD1PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 11 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 63 W | |
| Gehäusegröße | I2PAK/TO-262 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 8 → 30kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.7 x 4.8 x 11.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 11 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 63 W | ||
Gehäusegröße I2PAK/TO-262 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 8 → 30kHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.7 x 4.8 x 11.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MX