onsemi IGBT / 50 A ±25V max., 1100 V 300 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 864-8786
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA50S110P
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 864-8786
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA50S110P
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1100 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±25V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1100 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±25V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||