Infineon IGBT / 80 A ±30V max., 1200 V 350 W, 3-Pin TO-247AC N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 879-3400
- Herst. Teile-Nr.:
- IRG8P50N120KDPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 879-3400
- Herst. Teile-Nr.:
- IRG8P50N120KDPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Verlustleistung max. | 350 W | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 8 → 30kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| Nennleistung | 0.52mJ | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Verlustleistung max. 350 W | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 8 → 30kHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.87 x 5.31 x 20.7mm | ||
Nennleistung 0.52mJ | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
- Ursprungsland:
- MX