onsemi IGBT / 24 A ±20V max., 600 V 54 W, 3-Pin TO-220F N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 882-9806
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB15N60R2FG
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 882-9806
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB15N60R2FG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 24 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 54 W | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.16 x 4.7 x 15.87mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Kapazität | 2000pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 24 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 54 W | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.16 x 4.7 x 15.87mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Kapazität 2000pF | ||
- Ursprungsland:
- KR