onsemi IGBT / 20 A ±20V max., 600 V 72 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 882-9809
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB10N60R2DT4G
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 882-9809
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB10N60R2DT4G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 72 W | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Kapazität | 1340pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 20 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 72 W | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Kapazität 1340pF | ||