Toshiba IGBT / 60 A ±25V max., 1100 V 333 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 891-2756
- Herst. Teile-Nr.:
- GT60PR21,STA1F(S
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 891-2756
- Herst. Teile-Nr.:
- GT60PR21,STA1F(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1100 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±25V | |
| Verlustleistung max. | 333 W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 0.6µs | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.5 x 4.5 x 20mm | |
| Gate-Kapazität | 2350pF | |
| Betriebstemperatur max. | 175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1100 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±25V | ||
Verlustleistung max. 333 W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 0.6µs | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
Gate-Kapazität 2350pF | ||
Betriebstemperatur max. 175 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.