Infineon IGBT / 16 A ±20V max., 1200 V 70 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 892-2129
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW08T120FKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 4 - 16 | 2,453 € | 9,812 € |
| 20 - 36 | 2,333 € | 9,332 € |
| 40 - 96 | 2,233 € | 8,932 € |
| 100 - 196 | 2,085 € | 8,34 € |
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Produktdetails
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.
• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 16 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 70 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 20kHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Gate-Kapazität | 600pF |
| Nennleistung | 2.28mJ |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
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