Infineon IGBT / 40 A, 600 V 170 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
892-2197
Herst. Teile-Nr.:
IKW20N60H3FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

100kHz

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Energie

1.07mJ

Infineon IGBT, 40A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 600V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IKW20N60H3FKSA1


Dieses IGBT-Modul ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen im Bereich der Leistungselektronik konzipiert. Der Baustein entspricht den TO-247 IGBT-Gehäusespezifikationen und misst 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von 600 V und einem Kollektor-Dauerstrom von 40 A bewährt er sich bei verschiedenen anspruchsvollen Anwendungen im elektrischen und mechanischen Bereich.

Eigenschaften und Vorteile


• Verwendet die TRENCHSTOP-Technologie, die einen niedrigen VCEsat

• Erreicht eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C für robuste Leistung

• Verfügt über eine weiche, sich schnell erholende Antiparallel-Diode, die die Zuverlässigkeit erhöht

• Gewährleistet eine Schaltgeschwindigkeit von 100kHz für einen effizienten Betrieb

Anwendungen


• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen für zuverlässigen Betrieb

• Effektiv in Schweißkonvertern für Hochleistungsschweißen

• Geeignet für Umrichter mit hohen Anforderungen an die Schaltfrequenz

Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Moduls?


Der Wärmewiderstand vom Übergang zum Gehäuse beträgt 0,88 K/W, während der Wärmewiderstand der Diode vom Übergang zum Gehäuse 1,89 K/W beträgt, was eine effektive Wärmeableitung in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet.

Wie verhält sich der IGBT bei Kurzschlüssen und Verlustleistung?


Er unterstützt einen gepulsten Kollektorstrom von bis zu 80 A und eine Verlustleistung von 170 W, was eine robuste Leistung unter Kurzschlussbedingungen ermöglicht. Das Gerät kann bis zu 1000 Kurzschlüsse mit einer sicheren Betriebszeit von 5μs verarbeiten.

Welche Bedeutung hat die Gate-Kapazität in diesem IGBT?


Die Gate-Kapazität von 1100pF trägt zur effizienten Steuerung der Gate-Emitter-Spannung bei, was zu optimierten Schalteigenschaften führt und die Energieverluste während des Betriebs reduziert.

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