Infineon IGBT / 40 A, 600 V 170 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

RS Best.-Nr.:: 892-2197P
Herst. Teile-Nr.:: IKW20N60H3FKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 40 A, 600 V 170 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 40 Stück (geliefert in Stange)*

85,92 €

(ohne MwSt.)

102,24 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

172 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
40 - 76	2,148 €
80 - 196	2,048 €
200 - 596	1,865 €
600 +	1,628 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 892-2197P
Herst. Teile-Nr.:: IKW20N60H3FKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	40A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	600V
	Maximale Verlustleistung Pd	170W
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Pinanzahl	3
	Schaltgeschwindigkeit	100kHz
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.5V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS, JEDEC
	Serie	TrenchStop
	Energie	1.07mJ
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V
	Maximale Verlustleistung Pd 170W
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp Typ N
	Pinanzahl 3
	Schaltgeschwindigkeit 100kHz
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.5V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC
	Serie TrenchStop
	Energie 1.07mJ
	Automobilstandard Nein

Infineon IGBT, 40A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 600V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IKW20N60H3FKSA1

Dieses IGBT-Modul ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen im Bereich der Leistungselektronik konzipiert. Der Baustein entspricht den TO-247 IGBT-Gehäusespezifikationen und misst 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von 600 V und einem Kollektor-Dauerstrom von 40 A bewährt er sich bei verschiedenen anspruchsvollen Anwendungen im elektrischen und mechanischen Bereich.

Eigenschaften und Vorteile

• Verwendet die TRENCHSTOP-Technologie, die einen niedrigen VCEsat

• Erreicht eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C für robuste Leistung

• Verfügt über eine weiche, sich schnell erholende Antiparallel-Diode, die die Zuverlässigkeit erhöht

• Gewährleistet eine Schaltgeschwindigkeit von 100kHz für einen effizienten Betrieb

Anwendungen

• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen für zuverlässigen Betrieb

• Effektiv in Schweißkonvertern für Hochleistungsschweißen

• Geeignet für Umrichter mit hohen Anforderungen an die Schaltfrequenz

Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Moduls?

Der Wärmewiderstand vom Übergang zum Gehäuse beträgt 0,88 K/W, während der Wärmewiderstand der Diode vom Übergang zum Gehäuse 1,89 K/W beträgt, was eine effektive Wärmeableitung in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet.

Wie verhält sich der IGBT bei Kurzschlüssen und Verlustleistung?

Er unterstützt einen gepulsten Kollektorstrom von bis zu 80 A und eine Verlustleistung von 170 W, was eine robuste Leistung unter Kurzschlussbedingungen ermöglicht. Das Gerät kann bis zu 1000 Kurzschlüsse mit einer sicheren Betriebszeit von 5μs verarbeiten.

Welche Bedeutung hat die Gate-Kapazität in diesem IGBT?

Die Gate-Kapazität von 1100pF trägt zur effizienten Steuerung der Gate-Emitter-Spannung bei, was zu optimierten Schalteigenschaften führt und die Energieverluste während des Betriebs reduziert.