STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 650 V 115 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
906-2795
Herst. Teile-Nr.:
STGP10M65DF2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

20 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

115 W

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.4 x 4.6 x 15.75mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

0.66mJ

Gate-Kapazität

840pF

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics



IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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