STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 468 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 906-2818
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW40S120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,55 € |
| 10 - 49 | 8,91 € |
| 50 - 149 | 8,49 € |
| 150 - 499 | 7,37 € |
| 500 + | 6,42 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 906-2818
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW40S120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 468 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Kapazität | 2475pF | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Nennleistung | 8.5mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 468 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Kapazität 2475pF | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Nennleistung 8.5mJ | ||
- Ursprungsland:
- CN