Infineon IGBT / 31 A ±20V max., 600 V 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 907-4946
- Herst. Teile-Nr.:
- IRGS15B60KPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 907-4946
- Herst. Teile-Nr.:
- IRGS15B60KPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 31 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 208 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Nennleistung | 1070mJ | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Kapazität | 850pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 31 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 208 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Nennleistung 1070mJ | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Kapazität 850pF | ||
- Ursprungsland:
- MX