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    OSRAM, IR-Diode, TO18 35mW, 860nm, 63 → 200mW/sr, ±8 °, 2-Pin, THT

    RS Best.-Nr.:
    168-5231
    Herst. Teile-Nr.:
    SFH 4855-VAW
    Marke:
    ams OSRAM
    ams OSRAM
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    ams OSRAM
    Ursprungsland:
    CN

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    CN

    Produktdetails

    IR-Sender mit TO-18-Metallgehäuse von OSRAM


    Eine Produktfamilie von Infrarot (IR)-LEDs von OSRAM Opto Semiconductors ist in TO-18-Metallgehäusen untergebracht. Ihre durchkontaktierten Metallgehäuse sind hermetisch abgedichtet. Mit den TO-18-IR-LEDs sind kurze Schaltzeiten möglich. Sie bieten außerdem eine spektrale Übereinstimmung mit Silizium-Fotodetektoren. Fotointerruptoren, Sensortechnik und Lichtschranken sind geeignete Anwendungen für die TO-18-IR-LEDs.

    Eigenschaften der TO-18-IR-LEDs:
    Durchmesser: 4,3 mm oder 4,8 mm
    Durchkontaktiertes Metallzylindergehäuse
    Luftdichte Abdichtung
    Vielzahl von Wellenlängen


    IR-Sender, OSRAM Opto Semiconductors

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Wellenlänge Spitze860nm
    GehäusetypTO18
    Strahlstrom35mW
    Strahlungsstärke63 → 200mW/sr
    Montage TypTHT
    Halbwertswinkel±8 °
    Anzahl der LEDs1
    Anzahl der Pins2
    Abmessungen5.4 (Dia.) x 7.3mm
    LinsenformDom
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