Vishay Power IR-Diode 2100mW, 860nm, 1950mW/sr, SMD

Die Vishay Hochleistungs-Infrarot-Emitterdiode hat Wavelength von 850 nm. Er verfügt über einen Emitterchip mit Doppelstapel für höchste Strahlungsleistung. Die 42-mil-Chip-Größe ermöglicht einen 1,5-A-Gleichstrombetrieb und unterstützt Impulsströme bis zu 5,0 A. Es wird in Hochleistungs-SMD mit Linsengehäuse-Form geliefert. Er hat Abmessungen von 3,4 x 3,4 x 2,9 mm (L x B x H).

Winkel mit halber Intensität: ±28°
Niedriger Wärmewiderstand 6 K/W < RthJSP < 9 K/W.
ESD bis zu 5 kV (gemäß ANSI/ESDA/JEDEC ® JS-001)
Standzeit 168 h, MSL 3, gemäß J-STD-020
Bleifreie (Pb) Reflow-Lötprozesse