onsemi N-Kanal JFET-Kanal Transistor, 30 V 25 to 75 mA Einfach, SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 838-666
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBF4392LT1G
- Marke:
- onsemi
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- MMBF4392LT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Subtyp | JFET | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 225mW | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Drainstrom Ids | 25 to 75 mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | MMBF4392 | |
| Breite | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Subtyp JFET | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Konfiguration Einfach | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 225mW | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Drainstrom Ids 25 to 75 mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie MMBF4392 | ||
Breite 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der JFET-Schalttransistor von onsemi wurde entwickelt, um eine hohe Effizienz und Leistung in verschiedenen elektronischen Schaltkreisen zu bieten. Seine Eigenschaften machen es für Automobilanwendungen und andere Umgebungen geeignet, die eine strikte Einhaltung der Änderungsanforderungen erfordern.
S-Präfix für Automobilanwendungen, die eine AEC-Q101-Qualifizierung erfordern
Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konforme Geräte
Maximale Drain-Source-Nennspannung von 30 V DC
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand ermöglicht effizientes Energiemanagement
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