onsemi N-Kanal JFET 2SK3666-3-TB-E, 30 V Single, CP 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 145-4162
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3666-3-TB-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
225,00 €
(ohne MwSt.)
267,00 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,075 € | 225,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-4162
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3666-3-TB-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 1.2 to 3mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Gate-Spannung max. | -30V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Konfiguration | Single | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 Ω | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | CP | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain Gate Kapazität | 4pF | |
| Source Gate Kapazität | 1.1pF | |
| Abmessungen | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 1.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
IDS Drain-Source-Abschaltstrom 1.2 to 3mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Gate-Spannung max. -30V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Konfiguration Single | ||
Drain-Source-Widerstand max. 200 Ω | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße CP | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain Gate Kapazität 4pF | ||
Source Gate Kapazität 1.1pF | ||
Abmessungen 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 1.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.9mm | ||
- Ursprungsland:
- CN