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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Renesas Electronics
	Channel-Typ	N
	IDS Drain-Source-Abschaltstrom	15 to 70mA
	Drain-Source-Spannung max.	4 V
	Gate-Source Spannung max.	-3 V
	Konfiguration	Single
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	SO2
	Pinanzahl	4
	Abmessungen	2.6 x 2.6 x 1.5mm
	Länge	2.6mm
	Höhe	1.5mm
	Breite	2.6mm
	Betriebstemperatur max.	+125 °C

	Alle auswählen
	Marke Renesas Electronics
	Channel-Typ N
	IDS Drain-Source-Abschaltstrom 15 to 70mA
	Drain-Source-Spannung max. 4 V
	Gate-Source Spannung max. -3 V
	Konfiguration Single
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße SO2
	Pinanzahl 4
	Abmessungen 2.6 x 2.6 x 1.5mm
	Länge 2.6mm
	Höhe 1.5mm
	Breite 2.6mm
	Betriebstemperatur max. +125 °C

Ursprungsland:: JP

N-Kanal HEMT, Renesas

Ein HEMT ist ein Anschluss-FET, der zwei Materialien mit verschiedenen Bandspalten (d. h. eine Hetero-Junction) als Kanal anstelle der in einem MOSFET verwendeten dotierten Region verwendet. HEMT-Transistoren weisen gute Hochfrequenzeigenschaften auf und werden gewöhnlich in rauscharmen Kleinsignal-HF-Anwendungen eingesetzt.
HEMT, HFET, HJ-FET und MODFET sind Begriffe zur Beschreibung von Transistoren dieser Art.

JFET-Transistoren

Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.

Renesas Electronics N-Kanal JFET NE3514S02-A, 4 V Single, SO2 4-Pin Einfach

N-Kanal HEMT, Renesas