onsemi N-Kanal JFET TF412ST5G, 30 V Single, SOT-883 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 867-3287P
- Herst. Teile-Nr.:
- TF412ST5G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|
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| 1000 - 2450 | 0,171 € |
| 2500 - 4950 | 0,15 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 867-3287P
- Herst. Teile-Nr.:
- TF412ST5G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 1.2 to 3mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Gate-Spannung max. | -30V | |
| Konfiguration | Single | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-883 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain Gate Kapazität | 4pF | |
| Source Gate Kapazität | 4pF | |
| Abmessungen | 1.08 x 0.68 x 0.41mm | |
| Länge | 1.08mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Verlustleistung max. | 100 mW | |
| Breite | 0.68mm | |
| Höhe | 0.41mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
IDS Drain-Source-Abschaltstrom 1.2 to 3mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Gate-Spannung max. -30V | ||
Konfiguration Single | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOT-883 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain Gate Kapazität 4pF | ||
Source Gate Kapazität 4pF | ||
Abmessungen 1.08 x 0.68 x 0.41mm | ||
Länge 1.08mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Verlustleistung max. 100 mW | ||
Breite 0.68mm | ||
Höhe 0.41mm | ||
N-Kanal-JFET, ON Semiconductor
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.