STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 Evaluierungsplatine, Demonstration Board IGBT, MOSFET-Treiber

Das STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8-Demonstrationsplatinenkit wurde für die Hochspannungs-kompatiblen Gate-Treiber der Serien L638xE und L639x entwickelt und ermöglicht die Evaluierung aller Gate-Treiberfunktionen und -Funktionalitäten beim Steuern einer Halbbrücken-Leistungsstufe basierend auf N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in verschiedenen Gehäusen und mit einer Nennspannung von bis zu 600 V. Wichtige Komponenten wie Filterung und Bootstrap-Kondensator sind bereits auf der Leiterplatte montiert. Die Abmessungen passiver Komponenten sind sowohl mit SMT als auch T kompatibel H. Komponenten, so dass sie eine schnelle und einfache Konfiguration und Änderung ermöglichen. Dieses Demo-Platinenkit wird für die Hochspannungs-Gates L638xE und L639x verwendet.

• ability to drive asymmetrische Halbbrücken und geschaltete Reluktanzmotoren
• Active High oder Active Low LIN für einfache Eingangs-Gate-Ansteuerung
• Kompakte und vereinfachte Anordnung
• Kompatibel mit MOSFETs/IGBTs in DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP
• Dedizierte Hoch- und Niederspannungsseiten-Antriebseingänge
• Gate-Treiber im Kit verfügen über verschiedene Funktionen und Eigenschaften
• Halbbrücken-Konfiguration
• Hochspannungsschiene bis zu 600 V
• Integrierte Bootstrap-Diode
• Verriegelung für Querleitungsschutz
• Interne Totzeit oder keine Totzeit