Infineon Evaluierungsplatine, EVAL_3K3W_BIDI_PSFB DC/DC-Konverter

Diese Evaluierungsplatine bietet eine hocheffiziente komplette Infineon-Systemlösung für einen bidirektionalen DC/DC-Wandler mit 3300 W für Anwendungen in den Bereichen Telekommunikation, Batteriebildung und industrielle Robotik.
Der 600-V-CoolMOSTM CFD7-Superjunction-MOSFET von Infineon in einem ThinPAK-Gehäuse ist das neueste und leistungsfähigste schnelle Gehäuse-Diodengerät. In Kombination mit einem Gehäuse mit geringer Parasitenbelastung und einem optimierten Layout erzielt er hervorragende Leistung bei minimaler Belastung. Das innovative Kühlkonzept dieser Platine ermöglicht eine bemerkenswerte Leistung.
Diese Platine erreicht einen Wirkungsgrad von 98 % im Abwärtsmodus und 97 % im Aufwärtsmodus. Die erreichte Leistungsdichte liegt im Bereich von 4,34 W/cm3 (71,19 W/Zoll3), was durch den Einsatz von SMD-Gehäusen und der innovativen gestapelten magnetischen Konstruktion ermöglicht wird.

In Kombination mit den neuesten Technologien von Infineon beweist dieser DC/DC-Wandler die Machbarkeit und hohe Effizienz von PSFB-Designs auf der Ebene vollständig resonanter Topologien.
Die EVAL_3K3W_BIDI_PSFB zeigt außerdem, dass die PSFB-Topologie als bidirektionale DC/DC-Stufe verwendet werden kann, ohne dass sich das Standarddesign oder die Konstruktion einer traditionellen und bekannten Topologie ändert. Dies wird durch Innovationen in den Steuerungstechniken erreicht, die durch digitale Steuerung und XMCTM-Mikrocontroller betrieben werden.

•PSFB mit hohem Wirkungsgrad
•PSFB mit hoher Leistungsdichte
•Bidirektional PSFB
•Digital gesteuerte PSFB
•Neues integriertes Magnetikkonzept
•Neues SMD-Kühlkonzept

•Beste und neueste schnelle Gehäuse-Dioden-HV-Technologie von Infineon
•Beste und neueste LV-Synchron-Gleichrichtertechnologie von Infineon
•Bidirektionale Fähigkeit von PSFB (patentiert)
•Neues integriertes Magnetikkonzept
•Neues SMD-Kühlkonzept

•600 V CoolMOSTM CFD7 Superjunction-MOSFET (IPL60R075CFD7) 222-4912
•CoolSiCTM Schottky-Diode 650 V G6 (IDH08G65C6) 216-8382
•800 V CoolMOSTM Superjunction-MOSFET (IPU80R4K5P7) 222-4717
•150-V-OptiMOSTM 5-Leistungs-MOSFET in Super SO-8-Gehäuse (BSC093N15NS5) 214-4325
•Isolierter Gate-Treiber-IC EiceDRIVERTM 2EDS (2EDS8265H) 258-0627
•Isolierter Gate-Treiber-IC EiceDRIVERTM 2EDF (2EDF7275F) 244-0940
•Mikrocontroller XMC4200 für Steuerungsimplementierung (XMC4200-F64k256BA) 258-1749
•Quasi-resonanter Flyback-PWM-Controller (ICE5QSAG)
•AF-Schottky-Diode mit mittlerer Leistung (BAT165) 249-6997
•DC/DC-Abwärtsspannungsregler (IFX91041EJV33)